専攻/講座 人間・環境学/物質科学
総人学系
所属機関/部局 国際高等教育院
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Message to the prospective students

 化学と物理学と電子工学を融合した研究を進めています。具体的には、半導体等の電子材料薄膜について、(1) 作製プロセスの開発と反応解析を皮切りに、(2) 作製した材料の物性評価、さらに、 (3) 材料のデバイス応用まで、化学と物理学を基盤として手がけています。扱う材料については、無機材料や有機材料などといった枠に限定せず、あらゆる新規物質・材料を研究対象としています。
 加えて、地球環境問題に対する化学と物理学によるアプローチとして、プラズマ反応による地球温暖化ガスの有用物質への変換技術の開発も行っています。最近、新たな二酸化炭素の削減・固定化の手法として、密閉型気液界面プラズマによる物質変換が有効であることを示しました。気液界面プラズマ反応のメカニズムを解明し、さらなる物質変換効率の向上を進めるとともに、プラズマ生成物の特性を活かし、農業・医療応用など、さまざまな分野への応用の可能性も探究しています。
 中村研では、博士後期課程(日本学術振興会特別研究員)と修士課程の大学院生が、日々切磋琢磨しています。化学、物理学、電子工学はもちろん、それ以外の分野を専攻している方も含め、元気で熱意ある方を歓迎しますので、興味のある方はメールでご連絡ください。
研究分野 薄膜プロセス、電子材料・デバイス、プラズマ化学、分子分光学
キーワード プラズマプロセス、半導体材料・デバイス、酸化物エレクトロニクス、不揮発性メモリー、透明導電膜、スピントロニクス、気液界面プラズマ、炭素固定、窒素固定
研究テーマ (1) 環境負荷の小さい次世代半導体材料・デバイスの作製と評価
(2) 次世代低消費エネルギー不揮発性抵抗変化メモリーのための材料開発
(3) 新規透明導電膜を用いたフレキシブルデバイスの開発
(4) プラズマ化学反応による新奇物質合成・変換技術の開発
(5) プラズマによる新規炭素固定技術・窒素固定技術の開発
(6) 気液界面プラズマの農業・医療応用
代表的著書,論文等 (1) Sputter epitaxy and characterization of manganese-doped indium tin oxide films with different crystallographic orientations
S. Kitagawa and T. Nakamura
Journal of Applied Physics, 134(16), 165302-1-11 (2023).

(2) Effect of Mn substitution on the electronic structure for Mn-doped indium-tin oxide films studied by soft and hard x-ray photoemission spectroscopy
D. Ootsuki, T. Ishida, N. Tsutsumi,M. Kobayashi, K. Inagaki, T. Yoshida, Y. Takeda, S. Fujimori, A. Yasui, S. Kitagawa, and T. Nakamura
Physical Review Materials, 7(12), 124601-1-6 (2023).

(3) Oxidation processes of NO for production of reactive nitrogen species in plasma activated water
K. Tachibana, J. -S. Oh, and T. Nakamura
Journal of Physics D: Applied Physics, 53(38), 385202-1-14 (2020).

(4) Examination of UV-absorption spectroscopy for analysis of O3, NO2-, and HNO2 compositions and kinetics in plasma-activated water
K. Tachibana and T. Nakamura
Japanese Journal of Applied Physics, 59(5), 056004-1-7 (2020).

(5) Comparative study of discharge schemes for production rates and ratios of reactive oxygen and nitrogen species in plasma activated water
K. Tachibana and T. Nakamura
Journal of Physics D: Applied Physics, 52(38), 385202-1-17 (2019).

(6) Characterization of dielectric barrier discharges with water in correlation to productions of OH and H2O2 in gas and liquid phases
K. Tachibana and T. Nakamura
Japanese Journal of Applied Physics, 58(4), 046001-1-11 (2019).

(7) Local structure analysis of magnetic transparent conducting films by x-ray spectroscopy
T. Nakamura
Journal of Physics D: Applied Physics, 49(4), 045005-1-5 (2016).

(8) Spectroscopic ellipsometry analysis of perovskite manganite films for resistance switching devices
M. Yamada, O. Sakai, and T. Nakamura
Thin Solid Films, 571, 597-600 (2014).

(9) Isotopic study on metalorganic chemical vapor deposition of manganite films
T. Nakamura
Surface & Coatings Technology, 230, 213-218 (2013).

(10) Thin film deposition of metal oxides in resistance switching devices: electrode material dependence of resistance switching in manganite films
T. Nakamura, K. Homma, and K. Tachibana
Nanoscale Research Letters, 8(1), 76-1-7 (2013).
所属学会,その他の研究活動等 応用物理学会、The Electrochemical Societyなど
担当授業
  • 学部
  • 大学院修士課程 材料プロセス論1、材料プロセス論2、物質相関論総論、先端化学物質科学、物質機能相関論演習3A、物質機能相関論演習3B、物質機能相関論演習3C、物質機能相関論演習3D、相関環境学研究Ⅰ、相関環境学研究Ⅱ
  • 大学院博士課程 相関環境学特別研究Ⅰ、相関環境学特別研究Ⅱ、物質機能相関論特別演習1、物質機能相関論特別演習2、物質相関論特別セミナー
  • 全学共通科目 基礎物理化学要論、化学概論Ⅰ、化学概論Ⅱ、基礎化学実験
経歴等 学歴
1991年 京都大学理学部卒業
1993年 京都大学大学院理学研究科修士課程(化学専攻)修了
1996年 京都大学大学院理学研究科博士後期課程(化学専攻)修了 博士(理学)

職歴(大学院担当歴)
1996年 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 助手
2002年 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 講師
2003年 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 講師
2013年 大阪電気通信大学大学院工学研究科先端理工学専攻 准教授
2018年 大阪電気通信大学大学院工学研究科先端理工学専攻 教授
2019年 京都大学大学院人間・環境学研究科相関環境学専攻 教授
2023年 京都大学大学院人間・環境学研究科人間・環境学専攻物質科学講座 教授

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